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AS5116A-HSOM SOIC8 LF T&RDP
产品参考图片
AS5116A-HSOM SOIC8 LF T&RDP
制造厂商：
AMS
类别封装：
传感器，变送器 > 磁性传感器 > 位置，接近，速度（模块），封装:
技术参数：
SEN HALL EFFECT ANALOG GULL WING
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点击下图下载技术文档
AS5116A-HSOM SOIC8 LF T&RDP技术参数详情：
型号:AS5116A-HSOM SOIC8 LF T&RDP
品牌:ams-OSRAM USA INC. (ams-OSRAM,艾迈斯欧司朗)
封装:
类目:传感器，变送器 > 磁性传感器 > 位置，接近，速度（模块）
描述:SEN HALL EFFECT ANALOG GULL WING
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
类型:霍尔效应传感器
输出类型:模拟
致动器材料:磁体
端接样式:鸥翼
频率:-
电压 - 供电:3V ~ 3.6V，4.5V ~ 5.5V
必须工作:-
必须释放:-
工作温度:-40°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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AS5116A-HSOM SOIC8 LF T&RDP
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